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애플, 중국산 대신 삼성 플래시 산다 https://n.news.naver.com/article/008/0004820554?sid=101 "애플, 중국산 대신 삼성 낸드플래시 산다" [대만 IT 매체 "내달 초 나올 美수출통제명단 영향" 보도 삼성, 재고소진 호재…中 TMTS, 글로벌 톱3 목표 무산] 애플이 중국 YMTC(양쯔메모리)로부터의 낸드플래시 구매를 포기하고 대신 삼성전자로 n.news.naver.com
심성전자 메모리 공정설계(플래시메모리) 직무소개 신입사원 대상 소개글은 정확하게 무슨일을 하는지 모르겠습니다 아래는 경력 대상 소개글이고 업무가 구체적이니 참고하세요
메모리 반도체 美 1위 마이크론, 내년 생산량 20% 줄인다 https://n.news.naver.com/article/366/0000855783?sid=104 메모리 반도체 美 1위 마이크론, 내년 생산량 20% 줄인다 미국 최대 메모리반도체 제조업체인 마이크론이 반도체 수요 감소에 대응하기 위해 생산량을 20%가량 감축하기로 했다고 월스트리트저널(WSJ)이 16일(현지 시각) 보도했다. 16일(현지 시각) 월스리 n.news.naver.com
SK하이닉스, 300단 이상 낸드플래시 개발中 http://www.sisajournal-e.com/news/articleView.html?idxno=294315 SK하이닉스, 300단 이상 낸드플래시 개발中 - 시사저널e - 온라인 저널리즘의 미래 [시사저널e=이호길 기자] SK하이닉스가 300단 이상 낸드플래시 개발에 박차를 가한다. 지난 8월 238단 제품을 개발한 데 이어 업계 최고층인 300단 이상 낸드 설계를 완료했다. 최근 마이크론이 232단 www.sisajournal-e.com
삼성전자, 세계 최대용량 '1Tb 8세대 V낸드' 양산 https://naver.me/5Saskif9 삼성전자, 세계 최대용량 '1Tb 8세대 V낸드' 양산 삼성전자가 업계 최고층·최대용량 8세대 V낸드를 양산한다. 비트 집적도를 대폭 높이고 차세대 인터페이스를 적용해 전송 속도도 향상했다. 삼성전자는 대용량 기술을 바탕으로 자동차 시장까 n.news.naver.com
Nand Flash 낸드 플래시 읽기/쓰기/지우기 Nand Flash 낸드 플래시는 3가지 동작으로 구분할수 있습니다. ​ 이 세가지 동작은 Data를 저장하는 Cell에 국한된 이야기이며, 실제 chip은 매우 복잡한 동작을 하고 있습니다. ​ Program (쓰기) : FN Tunneling을 통해 electron(전자)를 Floating Gate에 가두는 동작 Erase (지우기) : Program과 반대로 FN Tunneling을 통해 electron(전자)를 Floating Gate에서 빼는 동작 Read (읽기) : Cell이 Program되었는지 Erase되었는지 구분하는 동작 ​ ​ 아래는 Program과 Erase 상황에서의 Band Diagram 입니다. (현재 3D Nand와 비슷하지만 막질의 종류가 달라 차이가 있음) 출처(구글링)..
낸드 플래시 Nand Flash 기초 원리 (FN Tunneling) 눈 앞에 장벽이 있다고 생각해보아요. 제가 반대편으로 공을 넘기고 싶어서 공을 계속 벽에 던집니다. 공을 벽에 던진다고 공이 반대편으로 넘어가진 않죠. 공을 반대로 넘기는 방법은 벽을 넘기는 방법밖에 없습니다. 하지만 전자의 세계에서는 조금 다릅니다. 고전역학에서는 아무리 벽에 공을 던진다고 공이 벽을 뚫고 들어가서 반대편으로 튀어나오지 않습니다. 하지만 양자역학에서는 Oxide라는 절연막을 전자가 통과할수 있고 확률이 존재합니다. Nand Flash 낸드 플래시는 바로 전자가 절연막을 통과할수 있고 그 확률이 있다는것에서 시작하면 그것을 FN Tunneling이라고 합니다. (FN Tunneling : Fowler-Nordheim tunneling - Ralph H. Fowler와 Lothar Wolf..
휘발성 반도체 및 비휘발성 반도체의 구분 메모리는 크게 휘발성과 비휘발성 메모리로 나눌수 있습니다. 다들 아시겠지만 DRAM은 휘발성 메모리의 대표적인 제품이고, Nand Flash는 비휘발성 메모리의 대표적인 제품입니다. 휘발성은 전원이 꺼지면 데이터가 모두 소실되고, 비휘발성은 전원이 꺼져도 데이터가 유지됩니다. 휘발성은 속도 / 비휘발성은 데이터 저장량에 개발을 집중하지만 그 목적을 달성하기 위해서는 소자 자체가 작아져야 한다는 공통점이 있습니다. (DRAM의 속도를 높이기 위해서는 Capacitor 개수가 늘어나야 함) 출처(구글링) : http://nfmd.hanyang.ac.kr/korean/files/20091104.pdf 출처(구글링) : http://nfmd.hanyang.ac.kr/korean/files/20091104.pdf..